CRF微波等離子體清洗設備的基本結構和工藝原理：
       CRF微波等離子體清洗設備的清洗過程是：在真空腔內壓力到一定范圍并充入工藝氣體。當腔內壓力為動態平衡時，氧、氬、氫等工藝氣體電離微波源振蕩產生的高頻交變電磁場，產生等離子體，活性等離子體物理轟擊和化學被清洗物體為半導體。實驗證明了這一點。在晶片生產中處理感光樹脂帶。微波等離子體的使用對腔體和腔門沒有氧化損傷反應，使被清洗物體的表面物質變成顆粒和氣體物質，借助抽真空排出，達到清洗的目的。微波放電是無電極放電，防止濺射造成的污染，同時使等離子體均勻純凈，密度更高。適用于高純度物質的制備和處理，工藝效率更高。借助操作控制系統設置工藝參數，控制微波等離子體清洗設備的強度和密度，以滿足不同清洗部件的工藝要求。

        在密封腔中，反應等離子體清潔和激活密封帶，主要是指自由基和基底表面的物理和化學反應。與其他頻率相比，微波頻率有兩個決定性優勢，一是離子濃度最高。微波等離子體中的反應顆粒數量遠遠大于RF等離子體中的等離子體數量會使反應速度更快，反應時間更短。其次，等離子體的自然特性之一是在直接暴露在等離子體基體上產生自偏壓。這種自偏壓取決于微波等離子體清洗設備的激勵頻率。例如頻率為2.45GHz微波一般只需要5.15伏。在相同的情形下，RF自偏壓等離子體需要100伏。