金剛石膜化學(xué)沉積通常指等離子沉積實(shí)驗(yàn)：
       制備的金剛石膜是1種有著等離子體化學(xué)氣相積累能力的工藝。由于薄膜金剛石在超硬維護(hù)涂層、光窗口、熱沉數(shù)據(jù)、微電子等方面也起著至關(guān)重要的作用，因而，當(dāng)人類掌握了金剛石薄膜的制備技術(shù)，特別是單晶金剛石薄膜的制備技術(shù)后，依靠數(shù)據(jù)的前史就會(huì)由硅材料年代迅速進(jìn)入金剛石年代。但現(xiàn)在對(duì)等離子沉積金剛石膜的機(jī)理尚不明白，特別是異質(zhì)外延單晶金剛石膜，其困難之處在于：低溫等離子體處于熱不平衡狀態(tài)，所使用的反應(yīng)氣體也是多原子分子，反應(yīng)體系復(fù)雜，缺乏基本的數(shù)據(jù)支持。然而，經(jīng)過20多年的理論和實(shí)驗(yàn)研究，人們不僅發(fā)展了許多等離子體化學(xué)氣相沉積制備金剛石薄膜的工藝，而且通過對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析和總結(jié)，對(duì)影響金剛石薄膜生長(zhǎng)的因素也有了一定的認(rèn)識(shí)。對(duì)于多晶金剛石膜的生長(zhǎng)，成核是關(guān)鍵，而影響成核的因素很多，包含等離子體條件、基質(zhì)數(shù)據(jù)、溫度等。

        通過等離子沉積金剛石膜，首先要了解金剛石的成核過程，一般將其分為兩個(gè)階段：含碳基團(tuán)到達(dá)基體表面，然后分散到基體內(nèi)部；第二階段是到達(dá)基體表面的碳原子在基體表面上以缺陷、金剛石子晶等為中心的成核、生長(zhǎng)。